逾2900%。（文章来源：科创板日报）
推动基于HBF的AI设备样品在2027年面世。 HBF是高带宽闪存，其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。“HBM之父”韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩认为，HBM与HBF就好比书房与图书馆。前者容量虽小，但使用起来方便；后者容量更大，但也意味着延迟更高。 2025年2月，闪迪首次提出HBF概念，并将其定位为结合3D NAND容量和HBM带宽的创新
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发布时间：06:17:59
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